2017년도 국회9급 전자공학개론 해설

  • 전압은 2배로 올라가지만 중간탭이 있기 때문에 다시 반으로 떨어져서 그대로 최댓값은 10 V이다. 위 아래 다이오드 모두 동작하므로 전파정류 파형이다. 평균값은 그래프의 개형에서 추측해보면 반보다 좀 더 큰 값일 것이다. 굳이 계산하지 말자. 위로 볼록한 모양인 것에서 추측하면 끝이다.
  • 바이패스 커패시터가 있다면 입력 저항은 매우 높진 않다. 전압이득은 -gmRo이고, 전류는 베타 값이기 때문에 둘 다 크다고 볼 수 있겠다.
  • 패스.
  • 모르겠다. 근데 그냥 공식에 대입하면 될 것 같다. 발진기를 공부하고 나면 따로 해설할지도…
  • 문턱전압이 음수인 건 PMOS다.
  • 5번은 샘플링이다.
  • 공통 컬렉터 증폭기는 버퍼로 사용되며, 입력 임피던스는 크지만 출력 임피던스는 작다.
    공통 베이스 증폭기는 입력 전류가 그대로 컬렉터로 흐르기 때문에 전류이득은 약 1이다. 또한, 입력 임피던스가 1/gm으로 작다. 왜 1/gm인지는 다른 해설에서 직관적 방법으로 설명해두었다.
  • 모르겠지만 아닌 것들 골라내면 4 아님 5 아닐까. 그중에 변수명을 고려하면 패리티에 대한 내용은 아닐 것 같다. 패리티였다면 아마 인덱스가 0,1,2,3 이런 식이었을 테니까.
  • 넘어가겠다.
  • 병렬 공진에서 인덕터는 -1/wL, 커패시턴스는 wC의 어드미턴스를 갖는다.
    공진 시 이 두 값의 크기가 같아서 상쇄되기에 어드미턴스는 작아진다.
    주파수가 공진주파수보다 낮다면, wC는 작고 1/wL은 크니까 전체 어드미턴스는 – 값 즉 유도성이 된다.
    공진주파수를 낮추기 위해서는 1/wL=wC에서 w=1/sqrt(LC)이므로 C를 키워야 한다.
  • 넘어가겠다.
  • 2번 같은 경우, 세 자리씩 끊어서 계산하면 된다. 5번의 경우, 2의 보수를 구하기 위해 다 뒤집고 1을 더해주자. 그럼 끝자리가 0이 되어야 하는데 1이 되니까 틀린 걸 알 수 있다.
  • A’B’C’를 몇 개 더 추가해도 값은 같으므로, 정리하면 AB’C+A’B’+B’C’이다.
    B’C’=(A+1)B’C’=AB’C’+B’C’이므로 AB’C+A’B’+B’C’=AB’+A’B’+B’C’=B’+B’C’=B’이 된다.
  • 전압이득 빼고 다 좋아진다.
  • 잘 구해보자.
  • 전압이 높아지면, Q2에 흐르는 전류가 커지고, Q1에 걸리는 전압은 낮아진다.
    따라서 RE2에 걸리는 전압은 낮아지게 되고. 이는 결국 RF를 통해서 Q2에 들어가는 베이스 전류가 더 많이 빠져나가는 효과가 난다.
    즉 전류 증폭기이고 네거티브 피드백이 있는 것이다.
    전류 증폭기의 경우 입력저항은 작은 게 좋다.
    출력은 전압이므로 출력저항은 큰 게 좋다. 전류이득은 거의 베타의 제곱 단위일 것이다.
    전류 이득의 값은 대략 피드백 팩터 K의 역수이다. 다음으로 출력 쪽에서 바라본 피드백 루프를 끊어버리기 위해 RF의 왼쪽을 그라운드시키면(입력저항이 작을 테니까 이렇게 똑같이 입력저항을 0으로 하면 출력은 피드백이 끊김을 못 느낀다) Vo로 나오는 피드백 전류는 RF와 RE2를 흐르는 전류 중 RF를 타고 들어오는 전류이다. 따라서 K=RE2/(RE2+RF)이고, 1/K=(1+RF/RE2)가 된다.
    그림으로 살펴보자면, 아래 왼쪽의 회로는(Q2의 이미터는 캐패시터에 의해 그라운드됨을 이용했다) 피드백을 끊으면 오른쪽으로 변한다.
  • 특히, 빨간색 친 상자를 확대해서 본다면 다음과 같다.
  • 이제 1/K를 계산하면 1+RF/RE2이다.
  • NOR에 NOT을 붙였으니 OR이다.
  • 넘어가겠다.
  • 1번은 C급에 대한 설명 같다. 2, 3, 4, 5번 모두 일관성이 있기 때문에 답은 1번일 듯하다.
  • 넘어가겠다.

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