2015년도 국가직9급 전자공학개론 해설

해설 영상: https://youtu.be/vCwKl288F8A

  • 다른 해설에서 한번 변환해 본 적이 있는 것 같다. 넘어가겠다.
  • 12 V * 48 Ah=576 Wh이다. 576/90 =6.4 시간이다.
  • gm=2000 uS이고, 출력 저항은 10 k옴 2개가 병렬이므로 5 k옴이다.
    곱하면 gmRo= 10000* 10^(-6) * 10^3=10이다.
  • 앞 단의 전압 이득은 -3이다. 이 값이 뒷 단의 2 k옴에 분배되므로 뒷 단의 +에 가해지는 전압 비율은 -2이다. 뒷 단은 비반전 증폭이므로 1+5/1=6배 증폭되므로 총 -12이다.
    이렇게 각 단의 출력을 그냥 곱할 수 있는 이유는 무엇일까?바로 출력 임피던스가 0이기 때문이다. 출력 임피던스가 0이면 왜 이게 가능한지 생각해보자.(전압 분배를 생각하자.)
  • 드 모르간의 법칙을 적용해보자.
  • 켤레복소수임을 기억하자.
  • 넘어가겠다.
  • 주파수 영역에서 전달함수가 델타 함수란 건 DC값만 뽑는 함수란 뜻이다.(왜일까?)
  • 넘어가겠다. 전압원을 왜 쇼트시키는지에 대해 이 블로그에 쓴 글도 읽어보자.
  • 일단 MOS 캡의 형태이다. 다이오드 캡이면 인가 전압이 -일 때 크고 +일 때 작아져야 한다.
    다음으로, -전압을 걸어서 +전하가 쌓인 것이 반전 상태이므로, 원래 상태는 -전하가 많은 n형이란 말이다.
  • 넘어가겠다.
  • L과 C의 단위를 생각해보면 어떤 형태가 답인지 알 수 있고, w= 2pi f임도 생각하자.
  • 커패시터에 전류가 흘러들어가서 출력 전압이 만들어지므로 i=Cdv/dt에 의해 적분 회로임을 알 수 있다. 전류는 왼쪽에서 오른쪽으로 흐를 것이므로 최종적으로 vout은 -의 부호를 가져야 할 것이다.
  • 넘어가겠다.
  • 아래쪽 1 k옴의 왼쪽은 5 V인데 오른쪽에서 왼쪽으로 2 mA의 전류가 흐르므로 전압 강하는 오른쪽에서 왼쪽으로 2 V이고 따라서 +입력에는 7 V의 전압이 걸린다. 그 다음으로는 그냥 풀면 된다.
  • 넘어가겠다. 한번 직접 구해봐도 좋을 것이다.
  • 넘어가겠다.
  • 베이스 영역이 넓으면 재결합을 많이 할 테니 베이스 전류가 커지고 이는 베타값이 작아지게 만들 것이다.
    MOS는 포화 모드가 증폭기 모드지만 BJT에서 포화 모드는 출력 전압이 안 바뀌는 상태(양쪽으로 포워드 바이어스 상태)를 말한다.
    이미터에서 베이스로 넘어간 캐리어는 확산된다. 각 영역에서는 도핑 농도가 높아서 도체와 같다고 볼 수 있고(그냥 내생각이다.) 도체 내에선 전계가 없으니 드리프트도 없다.
  • 시간 영역에선 콘볼루션이 되어야 한다. 콘볼루션의 의미를 잘 생각해보자.
  • 도너는 전자를 제공한다. 전자를 제공했으므로 그 자체는 +이온인데, 여기에 전자가 와 있으므로 아직 전자를 내놓지 않은 것이다. 따라서 +와 -가 더해져 중성이다.
    ㄴ은 전자가 없으므로 +이다. ㄷ은 전자를 받아들이는 자리가 있는 억셉터에 전자가 채워진 것이므로, 원래 중성이었을 억셉터가 전자를 받아서 -가 되었을 것이다.
    억셉터에 전자가 없으면 아직 전자를 안 받은 것이니 중성일 것이다.

댓글 남기기

이메일은 공개되지 않습니다. 필수 입력창은 * 로 표시되어 있습니다